Алмазные подложки произведут революцию в транзисторной технологии
YKTIMES.RU – Интеграция слоя 3C-SiC между GaN и алмазом значительно снижает тепловое сопротивление на границе раздела и улучшает рассеивание тепла, что позволяет повысить производительность, сообщает научный портал phys.org. Исследователи из Столичного университета Осаки доказывают, что бриллианты – это гораздо больше, чем просто лучший друг девушки. Их новаторские исследования сосредоточены на транзисторах из нитрида галлия (GaN),...