SSD с флэш-памятью V-NAND шестого поколения от Samsung

Samsung Electronics объявила о начале массового производства твердотельных накопителей с интерфейсом SATA ёмкостью 250 Гбайт, в которых используется флэш-память V-NAND шестого поколения.


V-NAND от Samsung шестого поколения отличается самой высокой в отрасли скоростью передачи данных. Применяя уникальную технологию «травления каналов», удалось увеличить число ячеек на 40% по сравнению с микросхемами с числом слоев 9x. Это достигается путем создания электропроводящего «стека» пресс-формы, состоящей из 136 слоев, с последующим вертикальным прокалыванием цилиндрических отверстий сверху донизу, создавая однородные трехмерные ячейки с зарядовой ловушкой (CTF).