Micron и сингапурские учёные продолжат совместную разработку памяти STT-MRAM
Сингапурский институт A*STAR Data Storage Institute (DSI) официально сказал, что между ним и американской компанией Micron Technology подписан контракт, продлевающий совместные разработки памяти STT-MRAM. 1-ый контракт о партнёрской работе над энергонезависимой памятью STT-MRAM сингапурские разработчики и Micron подписали три года назад - в 2011 году. Новый контракт охватывает аналогичный отрезок времени и будет действовать до 2017 года.
На первом и уже завершившемся шаге DSI и Micron разработали базисные технологии, нужные для создания памяти STT-MRAM с высокой плотностью записи. В данный момент низкая плотность записи - это 1 из основных недочетов магниторезистивной памяти с произвольным доступом. К примеру, 1 из ведущих поставщиков памяти STT-MRAM - компания Everspin - готова поставлять микросхемы STT-MRAM ёмкостью всего 64 Мбит, которые годятся разве что на создание энергонезависимого кеш-буфера, но ввиду малой ёмкости не подходят для выпуска SSD.
Компания Micron и разработчики из DSI не говорят детально о достигнутых результатах, но на новом шаге собираются сосредоточиться на улучшении таких черт STT-MRAM, как понижение употребления в моменты переключения состояния ячейки (запись и стирание) и улучшение быстродействия. Можно рассчитывать, что с увеличением плотности записи они уже разобрались.
В заключение напомним, что память STT-MRAM работает на принципе переноса спинового момента электрона (изменение магнитного поля частиц). Считается, что из всех многообещающих и достаточно проработанных на сей день альтернатив энергонезависимой памяти - RRAM, FeRAM и PRAM - память типа STT-MRAM окажется самой энергоэффективной. Она так эффективна, что компания Toshiba вознамерилась поменять в микропроцессорах кеш-память SRAM на блоки STT-MRAM, зачем не опасается внести значительные изменения в современную процессорную архитектуру.
Возвращаясь к компании Micron, отметим, к настоящему моменту она окутала чуть ли не весь диапазон многообещающей энергонезависимой памяти. Американский производитель готовится в партнёрстве с компанией Sony выпускать память типа RRAM (хотя через покупку Elpida получил фирменные разработки RRAM этой японской компании), выпускает 128-Мбит микросхемы PRAM (с изменением фазового состояния вещества) и SoC со встроенными блоками PRAM, также потенциально имеет доступ к разработкам FeRAM через приобретённые подконтрольные компании Elpida тайваньские компании Inotera Memories и Nanya Technology (бывшие активы Infineon). И хотя весь потенциал Micron после приобретения японской компании Elpida до этого времени не раскрыт, можно не колебаться - он громаден. Но это уже другая история.
Теги: stt-mram, флеш-память, micron, разработка