TSMC будет располагать 4-мя EUV-сканерами в 2015 году
Вокруг технологии фотолитографии с использованием экстремального ультрафиолета (EUV) бурлят споры, и нехитро - это одна из числа тех технологий, которая должна позволить разработчикам микроэлектроники достигнуть (и преодолеть) барьера 10 нанометров. Беря во внимание то, что 14 и 16-нанометровые техпроцессы уже вовсю осваиваются такими гигантами полупроводникового рынка, как Intel, Samsung и TSMC, о 10-нанометровых разработках нужно не просто мыслить уже сейчас, а вовсю готовиться к их пришествию. Что и делает компания TSMC, заказавшая совершенно не так давно у ASML Holding ещё два комплекса литографических сканеров, работающих в спектре EUV.
В будущем году этот известный производитель оборудования для микроэлектронной индустрии должен будет обеспечить поставку TSMC 2-ух комплексов NXE:3350B, также подвергнуть серьёзной модернизации имеющиеся комплексы NXE:3300B, чтоб довести их уровень производительности до более новой модели. В конечном итоге известный контрактный производитель микрочипов сумеет начать общее коммерческое создание с использованием 10-нанометровых технологических норм уже в 2016, на худенький конец - в 2017 году. Видите ли, чуда не вышло, и, в отличие от Intel, TSMC делает ставку на экстремальный ультрафиолет.
Работающие сейчас сканеры NXE:3300B, установленные на разных полупроводниковых фабриках по всему миру, используют источники излучения мощностью 80 ватт и могут обрабатывать до 500 кремниевых пластин в день. За счёт модернизации, заключающейся в установке более массивных 125-ваттных излучателей, их производительность можно будет довести до уровня систем последнего поколения, составляющего более тысячи пластин в день. Этого фактически достаточно для коммерческого использования. А в 2016 году планируется переход на 250-ваттные излучатели, что позволит довести производительность и до полутора тысяч пластин в день.
Платы ASML достаточно смотрятся чётко и прозрачно: их удачливость полностью находится в зависимости от того, будут ли сделаны и установлены вовремя новые массивные источники излучения. Но ряду других поставщиков оборудования для производства современных полупроводниковых схем будет нужно серьёзная доработка своих технологий для перехода от 10-нанометровых к 7-нанометровым производственным нормам. А ведь Intel и некоторые другие большие производители сложных микросхем планируют использование экстремальной ультрафиолетовой литографии только начиная с 7-нанометрового техпроцесса. Так что в этой цепочке принципиально каждое звено. Осталось дождаться 2015-2016 года, чтоб сказать, как удачно пройдёт воплощение в жизнь планов TSMC и др. игроков на этом рынке.
Теги: tsmc, asml, производство, техпроцесс, планы, 10 нм, 7 нм, euv