Алмазные полевые транзисторы для работы электроники в космосе разработали в России

Специалисты Российского технологического университета МИРЭА разработали полевые транзисторы на основе алмаза, способные работать при высоких температурах. Устройства превосходят традиционные кремниевые аналоги на 10-15% по производительности и устойчивости к радиации, что открывает новые возможности для космической, ядерной и промышленной электроники. Об этом сообщает пресс-служба Минобрнауки РФ в среду, 7 мая 2025 года. Информацию ТАСС.

Основой транзистора стал кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее одного микрона, созданный методом термохимической обработки. Эта технология устраняет дефекты поверхности, обеспечивая высокую проводимость и энергоэффективность. В отличие от кремния, алмаз демонстрирует рост проводимости при нагреве, что позволяет использовать транзисторы вблизи реактивных двигателей или в активных зонах ядерных реакторов.

Разработка востребована в радиолокационных системах, спутниковой связи, глубоководном бурении и медицинской аппаратуре. Алмазные транзисторы могут стать основой "умных" двигателей, где электроника интегрируется непосредственно в узлы, подверженные экстремальным температурам.

"Ключевое преимущество – сочетание термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности. Это позволяет создавать устройства, которые не просто выживают в экстремальных условиях, но и работают эффективнее", – пояснил руководитель лаборатории МИРЭА "Алмазная СВЧ-электроника" Андрей Алтухов.

Алмазные транзисторы решают проблему долговечности электроники в критических условиях, сокращая затраты на обслуживание и замену оборудования. Их внедрение ускорит развитие высокотемпературной промышленной автоматизации, повысит надежность космических аппаратов и безопасность ядерных объектов. Это также укрепляет позиции России в области материаловедения и микроэлектроники, от иностранных технологий.