Оперативную память GDDR6 разогнали до 20 Гбит/с

Это стало возможным благодаря незначительному увеличению напряжения. К такому выводу пришли эксперты из компании Micron, представившие новую исследовательскую статью. В ней раскрываются возможности и особенность этого вида ОЗУ.

Считалось, что оперативную память GDDR6 можно разогнать то 14 Гб/с. Такую и без того высокую планку установили специалисты из организации JEDEC. Получается, что новая плата превышает возможности GDDR5 в целых два раза. Стоит отметить, что ей для работы нужно на 10% меньше напряжения.

Исследователи из Micron отмечают, что у GDDR6 намного выше потенциал. Несмотря на то, что эта оперативная память является неким продуктом эволюции GDDR5 и GDDR5X, новая архитектура обзавелась рядом корректировок. Она способна пропускная архитектура аппаратного узла очень сильно повысилась.

Специалисты показали, что GDDR6 была рассчитана работу в 16,5 Гбит/с, но она может работать быстрее. В итоге оперативную память разогнали до 20 Гб/с. Причиной стало повышение напряжения в цепи питания.

Если спроецировать это достижение на карту с шиной памятью в 256 бит, то пропускная способность возрастает до 640 ГБ/с.